電表面電荷密度被認為是促進TENG輸出產(chǎn)生的關(guān)鍵因素，可以通過TENG輸出直接反映出來。同時，表面電荷產(chǎn)生和維持是與環(huán)境密切相關(guān)的，例如光電檢測材料的照明條件。因此，表面電荷密度也可用于有源光電檢測。受到這種機制的啟發(fā)，2015年，Su等人設(shè)計了一個類似的自驅(qū)動光電探測器，整個裝置采用接觸分離類型的TENG。感光MAPb13-Ti0:層能在300至780 nm處具有吸收峰，這意味著該多層結(jié)構(gòu)不僅可以檢測UV光，而且可以檢測可見光。此外，僅包含Ti0:層的對照樣品只能吸收UV光。當設(shè)備在100 W/cm2的太陽模擬器照射下操作時，輸出電壓直接從8V降低到約SV。當模擬器的開關(guān)關(guān)閉時，輸出電壓迅速恢復到8V。該光電探測器的機理主要是由于光誘導的表面電荷密度變化。這項工作說明了通過改變關(guān)鍵參數(shù)一表面電荷密度，結(jié)合TENG作為光電探測器的新機制。盡管鈣欽礦材料具有優(yōu)異的光敏和寬帶光吸收，但其半導體特對于在其表面上保持高電荷密度是不利的。為了解決這個問題，Su等人，設(shè)計了一種基于錯欽酸鉛(PZT)薄膜的自供電紫外光電探測器。器件上部采用銅薄膜作為層和頂部電極，底部采用透明氟摻雜的氧化錫(FTO)作為底部電極薄膜同時作為UV光敏材料和層材料。觀察到所測量的導電率在有照度時是沒有照射的9倍，這導致表面電荷的泄漏。因此，一旦暴露在紫外光下，器件的短路電流明顯下降。