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深圳市華科智源科技有限公司

igbt靜態(tài)參數(shù)測試儀

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功率器件綜合測試系統(tǒng)

產品價格1.00元/件

產品品牌華科智源

最小起訂≥1 件

供貨總量20 件

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瀏覽次數(shù)47

企業(yè)旺鋪http://hustec.sjooo.com/

更新日期2024-10-28 09:44

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商品信息

基本參數(shù)

品牌:

華科智源

所在地:

廣東 深圳市

起訂:

≥1 件

供貨總量:

20 件

有效期至:

2025-10-21

設備尺寸:

500(寬)x 450(深)x 250(高)mm

質量:

30kg

型號:

HUSTEC-1600A-MT
詳細說明

HUSTEC華科智源

HUSTEC-1600A-MT

功率器件綜合測試系統(tǒng)

 

 

 

一:功率器件綜合測試系統(tǒng)主要特點

華科智源HUSTEC-1600A-MT靜態(tài)測試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測試,還可以測量大功率二極管 、IGBT模塊,大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測試,測試600A(可擴展至2000A),5000V以下的各種功率器件,廣泛應用于軌道交通,電動汽車 ,風力發(fā)電,變頻器,焊機行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析,設備還可以用于變頻器,風電,軌道交通,電焊機等行業(yè)的在線檢修,無需從電路板上取下來進行單獨測試,可實現(xiàn)在線IGBT檢測,測試方便,測試過程簡單,既可以在測試主機里設置參數(shù)直接測試,又可以通過軟件控制主機編程后進行自動測試,通過電腦操作完成 IGBT 的靜態(tài)參數(shù)測試;

 

功率器件綜合測試系統(tǒng)測試參數(shù):

ICES  集電極-發(fā)射極漏電流

IGESF 正向柵極漏電流

IGESR 反向柵極漏電流

BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓

VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓

VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓

ICON 通態(tài)電極電流

VGEON 通態(tài)柵極電壓

VF 二極管正向導通壓降

整個測試過程自動完成,電腦軟件攜帶數(shù)據庫管理查詢功能,可生成測試曲線,方便操作使用。

 

二:華科智源功率器件綜合測試系統(tǒng)應用范圍

A:IGBT單管及模塊,

B:大功率場效應管(Mosfet)

C:大功率二極管

D:標準低阻值電阻

E:軌道交通,風力發(fā)電,新能源汽車,變頻器,焊機等行業(yè)篩選以及在線故障檢測

 

三、華科智源功率器件綜合測試系統(tǒng)特征:

A:測量多種IGBT、MOS管

B:脈沖電流1200A,電壓5KV,測試范圍廣;

C:脈沖寬度 50uS~300uS

D:Vce測量精度2mV

E:Vce測量范圍>10V    

F:電腦圖形顯示界面

G:智能保護被測量器件

H:上位機攜帶數(shù)據庫功能

I:MOS IGBT內部二極管壓降

J : 一次測試IGBT全部靜態(tài)參數(shù)

K: 生成測試曲線(IV曲線直觀看到IGBT特性,可以做失效分析以及故障)

L:可以進行不同曲線的對比,觀測同一批次產品的曲線狀態(tài),或者不同廠家同一規(guī)格參數(shù)的曲線對比;

 

序號

測試項目

描述

測量范圍

分辨率

精度

1

VF

二極管正向導通壓降

0~20V

1mV

±1%,±1mV

2

IF

二極管正向導通電流

0~1200A

≤200A時,0.1A

≤200A時,±1%±0.1A

3

>200A時,1A

>200A時,±1%

4

Vces

集電極-發(fā)射極電壓

0~5000V

1V

±1%,±1V

5

Ic

通態(tài)集電極電流

0~1200A

≤200A時,0.1A

≤200A時,±1%±0.1A

6

>200A時,1A

>200A時,±1%

7

Ices

集電極-發(fā)射極漏電流

0~50mA

1nA

±1%,±10μA

8

Vgeth

柵極-發(fā)射極閾值電壓

0~20V

1mV

±1%,±1mV

9

Vcesat

集電極-發(fā)射極飽和電壓

0~20V

1mV

±1%,±1mV

10

Igesf

正向柵極漏電流

0~10uA

1nA

±2%,±1nA

11

Igesr

反向柵極漏電流

12

Vges

柵極發(fā)射極電壓

0~40V

1mV

±1%,±1mV

 

 


 


 


 


 

 

測試參數(shù):

ICES  集電極-發(fā)射極漏電流

IGESF 正向柵極漏電流

IGESR 反向柵極漏電流

BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓

VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓

VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓

ICON 通態(tài)電極電流

VGEON 通態(tài)柵極電壓

VF 二極管正向導通壓降

IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀整個測試過程自動完成,電腦軟件攜帶數(shù)據庫管理查詢功能,可生成測試曲線,方便操作使用

 

1) 物理規(guī)格

設備尺寸:500(寬)x 450(深)x 250(高)mm;

質量:30kg

2) 環(huán)境要求

海拔高度:海拔不超過 1000m;

儲存環(huán)境:-20℃~50℃;

工作環(huán)境:15℃~40℃。

相對濕度:20%RH ~ 85%RH ;

大氣壓力:86Kpa~ 106Kpa。

防護:無較大灰塵,腐蝕或爆炸性氣體,導電粉塵等空氣污染的損害;

3) 水電氣 用電要求:AC220V,±10%;

電網頻率:50Hz±1Hz

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