場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（10^8～10^9Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者。

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（1）場效應(yīng)管是電壓控制器件，它通過VGS來控制ID； 　　

（2）場效應(yīng)管的輸入端電流極小，因此它的輸入電阻很大。 　　

（3）它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，因此它的溫度穩(wěn)定性較好； 　

（4）它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù)； 　　

（5）場效應(yīng)管的抗輻射能力強(qiáng)； 　

（6）由于不存在雜亂運(yùn)動(dòng)的少子擴(kuò)散引起的散粒噪聲，所以噪聲低

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瑞新電子股份有限公司自1995起，專業(yè)從事編程、單片機(jī)設(shè)計(jì)、集成電路設(shè)計(jì)、IC制造、生產(chǎn)、銷售為一體的高新科技公司。2002我們推出RFID的第一顆芯片以及配套的讀頭模塊，跟大陸各大智能卡廠家合作迅速擴(kuò)大市場，行業(yè)客戶遍布全國。2012年我們?cè)趫鲂?yīng)管領(lǐng)域推出500V，650V的高壓MOS管晶圓，再次跟各大電源廠商緊密合作，選擇瑞新選擇質(zhì)量的保證。

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