科研實(shí)驗(yàn)專用氮化鋁靶材AlN磁控濺射靶材電子束鍍膜蒸發(fā)料

產(chǎn)品介紹

氮化鋁（AlN）屬類金剛石氮化物、六方晶系，纖鋅礦型的晶體結(jié)構(gòu)，無毒，呈白色或灰白色，是共價(jià)鍵化合物，原子晶體。氮化鋁應(yīng)用於光電工程，包括在光學(xué)儲(chǔ)存介面及電子基質(zhì)作誘電層，在高的導(dǎo)熱性下作晶片載體，以及作軍事用途。由于氮化鋁壓電效應(yīng)的特性，氮化鋁晶體的外延性伸展也用於表面聲學(xué)波的探測(cè)器。

產(chǎn)品參數(shù)
中文名 氮化鋁             沸點(diǎn) 2249
化學(xué)式 AlN                熔點(diǎn) 2200℃
密度 3.235g/cm3           純度 99.99%
支持靶材定制，請(qǐng)?zhí)峁┌胁漠a(chǎn)品的元素、比例（重量比或原子比）、規(guī)格，我們會(huì)盡快為您報(bào)價(jià)??！ 
服務(wù)項(xiàng)目：靶材成份比例、規(guī)格、純度均可按需定制?？蒲袉挝回浀礁犊睿|(zhì)量保證，售后無憂！
產(chǎn)品附件：發(fā)貨時(shí)產(chǎn)品附帶裝箱單/質(zhì)檢單/產(chǎn)品為真空包裝
適用儀器：多種型號(hào)磁控濺射、熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)設(shè)備 
質(zhì)量控制：嚴(yán)格控制生產(chǎn)工藝，采用輝光放電質(zhì)譜法GDMS或ICP光譜法等多種檢測(cè)手段，分析雜質(zhì)元素含量保證材料的高純度與細(xì)小晶粒度；可提供質(zhì)檢報(bào)告。 
加工流程：熔煉→提純→鍛造→機(jī)加工→檢測(cè)→包裝出庫
       陶瓷化合物靶材本身質(zhì)脆且導(dǎo)熱性差，連續(xù)長(zhǎng)時(shí)間濺射易發(fā)生靶裂情況，綁定背靶后，可提高化合物靶材的導(dǎo)熱性能，提高靶材的使用壽命。我們強(qiáng)烈建議您，選購陶瓷化合物靶材一定要綁定銅背靶！
       我公司采用高純銦作為焊料，銦焊厚度約為0.2mm，高純無氧銅作為背靶。
       注意：高純銦的熔點(diǎn)約為156℃，靶材工作溫度超過熔點(diǎn)會(huì)導(dǎo)致銦熔化！綁定背靶不影響靶材的正常使用！
       建議：陶瓷脆性靶材、燒結(jié)靶材，高功率下濺射易碎，建議濺射功率不超過3W/cm2。