科研實驗專用氧化鉿靶材HfO2靶材磁控濺射靶材電子束鍍膜蒸發(fā)料

產(chǎn)品介紹

氧化鉿（HfO2）常溫常壓下為白色固體，熔點：2758℃，沸點：5400℃，密度：9.68g/cm3，難溶于水，常溫常壓下穩(wěn)定，避免與酸接觸；當加熱到高溫時鉿與氧直接化合生成氧化鉿；也可通過其硫酸鹽或草酸鹽經(jīng)灼燒而得。用于光譜分析及催化劑體系，耐熔材料；是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料，近來在工業(yè)界特別是微電子領(lǐng)域被引起極度的關(guān)注，由于它最可能替代目前硅基集成電路的核心器件金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO2)，以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO?/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺寸極限問題。

產(chǎn)品參數(shù)
       中文名 二氧化鉿        化學式 HfO2     沸點 5400℃
       分子量 210.49           熔點 2758℃      密 度 9.68g/cm3
       純度 99.99%

支持靶材定制，請?zhí)峁┌胁漠a(chǎn)品的元素、比例（重量比或原子比）、規(guī)格，我們會盡快為您報價??！ 
服務項目：靶材成份比例、規(guī)格、純度均可按需定制?？蒲袉挝回浀礁犊?，質(zhì)量保證，售后無憂！
產(chǎn)品附件：發(fā)貨時產(chǎn)品附帶裝箱單/質(zhì)檢單/產(chǎn)品為真空包裝
適用儀器：多種型號磁控濺射、熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)設(shè)備 
質(zhì)量控制：嚴格控制生產(chǎn)工藝，采用輝光放電質(zhì)譜法GDMS或ICP光譜法等多種檢測手段，分析雜質(zhì)元素含量保證材料的高純度與細小晶粒度；可提供質(zhì)檢報告。 
加工流程：熔煉→提純→鍛造→機加工→檢測→包裝出庫
        陶瓷化合物靶材本身質(zhì)脆且導熱性差，連續(xù)長時間濺射易發(fā)生靶裂情況，綁定背靶后，可提高化合物靶材的導熱性能，提高靶材的使用壽命。我們強烈建議您，選購陶瓷化合物靶材一定要綁定銅背靶！
       我公司采用高純銦作為焊料，銦焊厚度約為0.2mm，高純無氧銅作為背靶。
       注意：高純銦的熔點約為156℃，靶材工作溫度超過熔點會導致銦熔化！綁定背靶不影響靶材的正常使用！
       建議：陶瓷脆性靶材、燒結(jié)靶材，高功率下濺射易碎，建議濺射功率不超過3W/cm2。