科研實(shí)驗(yàn)專用 一氧化硅靶材SiO磁控濺射靶材電子束鍍膜蒸發(fā)料

產(chǎn)品介紹

 一氧化硅(SiO)常溫常壓下為黑棕色至黃土色無定形粉末，難溶于水，能溶于稀氫氟酸和硝酸的混酸中并放出四氟化硅，熔點(diǎn)：1702°C，沸點(diǎn)：1880°C，密度2.13g/cm3，一氧化硅不太穩(wěn)定，在空氣中會(huì)氧化成二氧化硅膜而鈍化，僅在高于1200℃才穩(wěn)定；在氧氣中燃燒，和水反應(yīng)生成氫氣。一氧化硅微粉末因極富有活性，可作為精細(xì)陶瓷合成原料，如氮化硅、碳化硅精細(xì)陶瓷粉末原料；用作光學(xué)玻璃和半導(dǎo)體材料的制備；在真空中將其蒸發(fā)，涂在光學(xué)儀器用的金屬反射鏡面上，作為保護(hù)膜；半導(dǎo)體材料的制備。

產(chǎn)品參數(shù)
中文名 一氧化硅         化學(xué)式 SiO         分子量 44.08
熔點(diǎn) 1702℃              沸點(diǎn) 1880℃       密 度 2.13g/cm3
純度 99.99%              外觀 黑棕色至黃土色無定形粉末

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服務(wù)項(xiàng)目：靶材成份比例、規(guī)格、純度均可按需定制。科研單位貨到付款，質(zhì)量保證，售后無憂！
產(chǎn)品附件：發(fā)貨時(shí)產(chǎn)品附帶裝箱單/質(zhì)檢單/產(chǎn)品為真空包裝
適用儀器：多種型號磁控濺射、熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)設(shè)備 
質(zhì)量控制：嚴(yán)格控制生產(chǎn)工藝，采用輝光放電質(zhì)譜法GDMS或ICP光譜法等多種檢測手段，分析雜質(zhì)元素含量保證材料的高純度與細(xì)小晶粒度；可提供質(zhì)檢報(bào)告。 
加工流程：熔煉→提純→鍛造→機(jī)加工→檢測→包裝出庫
      陶瓷化合物靶材本身質(zhì)脆且導(dǎo)熱性差，連續(xù)長時(shí)間濺射易發(fā)生靶裂情況，綁定背靶后，可提高化合物靶材的導(dǎo)熱性能，提高靶材的使用壽命。我們強(qiáng)烈建議您，選購陶瓷化合物靶材一定要綁定銅背靶！
       我公司采用高純銦作為焊料，銦焊厚度約為0.2mm，高純無氧銅作為背靶。
       注意：高純銦的熔點(diǎn)約為156℃，靶材工作溫度超過熔點(diǎn)會(huì)導(dǎo)致銦熔化！綁定背靶不影響靶材的正常使用！
       建議：陶瓷脆性靶材、燒結(jié)靶材，高功率下濺射易碎，建議濺射功率不超過3W/cm2。