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北京晶邁中科材料技術(shù)有限公司

靶材,金屬靶材,陶瓷靶材,化合物靶材,合金靶材

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硒化銦靶材In2Se3磁控濺射靶材

產(chǎn)品價格1000.00元/片

產(chǎn)品品牌晶邁中科

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更新日期2020-08-11 18:02

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商品信息

基本參數(shù)

品牌:

晶邁中科

所在地:

北京

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科研實驗專用硒化銦靶材In2Se3磁控濺射靶材電子束鍍膜蒸發(fā)料

產(chǎn)品介紹

硒化銦(In2Se3)是一種Ⅲ-Ⅵ族化合物,具有不同的化學組成。In2Se3是一種N型半導體化合物,可以應用于光電轉(zhuǎn)化、光催化、電子器件等領(lǐng)域。
      產(chǎn)品參數(shù)
      中文名硒化銦      分子量466.516
      化學式In2Se3      熔點667℃
      密度5.78g/mL (15℃)

支持靶材定制,請?zhí)峁┌胁漠a(chǎn)品的元素、比例(重量比或原子比)、規(guī)格,我們會盡快為您報價?。?nbsp;
服務項目:靶材成份比例、規(guī)格、純度均可按需定制??蒲袉挝回浀礁犊?,質(zhì)量保證,售后無憂!
產(chǎn)品附件:發(fā)貨時產(chǎn)品附帶裝箱單/質(zhì)檢單/產(chǎn)品為真空包裝
適用儀器:多種型號磁控濺射、熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)設(shè)備 
質(zhì)量控制:嚴格控制生產(chǎn)工藝,采用輝光放電質(zhì)譜法GDMS或ICP光譜法等多種檢測手段,分析雜質(zhì)元素含量保證材料的高純度與細小晶粒度;可提供質(zhì)檢報告。 
加工流程:熔煉→提純→鍛造→機加工→檢測→包裝出庫
       陶瓷化合物靶材本身質(zhì)脆且導熱性差,連續(xù)長時間濺射易發(fā)生靶裂情況,綁定背靶后,可提高化合物靶材的導熱性能,提高靶材的使用壽命。我們強烈建議您,選購陶瓷化合物靶材一定要綁定銅背靶!
       我公司采用高純銦作為焊料,銦焊厚度約為0.2mm,高純無氧銅作為背靶。
       注意:高純銦的熔點約為156℃,靶材工作溫度超過熔點會導致銦熔化!綁定背靶不影響靶材的正常使用!
       建議:陶瓷脆性靶材、燒結(jié)靶材,高功率下濺射易碎,建議濺射功率不超過3W/cm2。

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